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SAMSUNG
MZ-VAP1T0BW
HDIM.2 1TB SAM MZ-VAP1T0BW
8806095811628
Disco Interno M.2
Descripción
Samsung MZ-VAP1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14700 MB/s, Velocidad de escritura: 13300 MB/s, Componente para: PC/ordenador portátil
  • SDD, capacidad : 1 TB
  • Factor de forma de disco SSD : M.2
  • Interfaz : PCI Express 5.0
  • NVMe : Si
  • Tipo de memoria : V-NAND TLC
  • Componente para : PC/ordenador portátil
  • Encriptación de hardware : Si
  • Algoritmos de seguridad soportados : 256-bit AES
  • Tamaño de la unidad SSD M.2 : 2280 (22 x 80 mm)
  • Velocidad de lectura : 14700 MB/s
  • Velocidad de escritura : 13300 MB/s
  • Lectura aleatoria (4KB) : 1850000 IOPS
  • Escritura aleatoria (4KB) : 2600000 IOPS
  • Carriles datos de interfaz PCI Express : x4
  • Función DevSleep : Si
  • Soporte S.M.A.R.T. : Si
  • Soporte TRIM : Si
  • Tiempo medio entre fallos : 1500000 h
  • Voltaje de operación : 3,3 V
  • Consumo eléctrico promedio (lectura) : 7,6 W
  • Consumo eléctrico promedio (escritura) : 7,2 W
  • Ancho : 80,2 mm
  • Profundidad : 2,38 mm
  • Altura : 22,1 mm
  • Peso : 9 g
  • Tipo de embalaje : Caja
  • Intervalo de temperatura operativa : 0 - 70 °C
  • Golpes en funcionamiento : 1500 G
  • Periodo de garantía : 5 año(s)
Detalles del producto
SAMSUNG
HDIM.2 1TB SAM MZ-VAP1T0BW

Ficha técnica

  • PCI Express 5.0
  • PC/ordenador portátil
  • 1 TB
  • Si
  • Si
  • M.2
  • V-NAND TLC

Referencias específicas

  • 8806095811628
  • MZ-VAP1T0BW
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