Disco M.2 Nvme 4tb Samsung 9100pro Mz-vap4t0cw

SAMSUNG
MZ-VAP4T0CW
HDIM.2 4TB SAM MZ-VAP4T0CW
8806095811659
Disco Interno M.2
Descripción
Samsung MZ-VAP4T0. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14800 MB/s, Velocidad de escritura: 13400 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos
  • SDD, capacidad : 4 TB
  • Factor de forma de disco SSD : M.2
  • Interfaz : PCI Express 5.0
  • NVMe : Si
  • Tipo de memoria : V-NAND TLC
  • Componente para : PC/Consola de videojuegos
  • Encriptación de hardware : Si
  • Versión NVMe : 2.0
  • Algoritmos de seguridad soportados : 256-bit AES
  • Tamaño de la unidad SSD M.2 : 2280 (22 x 80 mm)
  • Velocidad de lectura : 14800 MB/s
  • Velocidad de escritura : 13400 MB/s
  • Lectura aleatoria (4KB) : 2200000 IOPS
  • Escritura aleatoria (4KB) : 2600000 IOPS
  • Carriles datos de interfaz PCI Express : x4
  • Función DevSleep : Si
  • Soporte S.M.A.R.T. : Si
  • Soporte TRIM : Si
  • Tiempo medio entre fallos : 1500000 h
  • Voltaje de operación : 3,3 V
  • Consumo de energía (lectura) : 9 W
  • Consumo de energía (escritura) : 8,2 W
  • Consumo eléctrico promedio (lectura) : 9 W
  • Consumo eléctrico promedio (escritura) : 8,2 W
  • Consumo de energía (espera) : 0,007 W
  • Consumo de potencia DevSlp (modo sueño) : 5,7 mW
  • Ancho : 80,2 mm
  • Profundidad : 8,88 mm
  • Altura : 80,2 mm
  • Peso : 30 g
  • Tipo de embalaje : Caja
  • Intervalo de temperatura operativa : 0 - 70 °C
  • Golpes en funcionamiento : 1500 G
  • Periodo de garantía : 5 año(s)
Detalles del producto
SAMSUNG
HDIM.2 4TB SAM MZ-VAP4T0CW

Ficha técnica

  • PCI Express 5.0
  • PC/Consola de videojuegos
  • 4 TB
  • Si
  • Si
  • M.2
  • V-NAND TLC

Referencias específicas

  • 8806095811659
  • MZ-VAP4T0CW
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